PUF 熵源
QDID
取得專利的類比 PUF,利用穿隧電流通過閘極端子時因氧化層厚度變異與隨機缺陷分佈而產生的變化來衍生身分識別,適用於任何標準 CMOS 製程,已在 TSMC、GlobalFoundries、UMC 的 Bulk CMOS、FDSOI 與 FinFET 製程上驗證。
- 可產生最高 256 位元的可客製化安全強度種子,即時生成、不儲存於記憶體,抵禦側信道記憶體萃取攻擊
- 符合 PSA Level 2 Ready、CC EAL4+,並符合 NIST SP 800-22/SP 800-90B 隨機性與熵標準
- 可用製程:65nm、55nm、40nm、28nm、22nm
- 合作晶圓廠:GlobalFoundries、UMC、TSMC
